TECH-RELEASE
2026-Q1
车规级高压BCD平台完成125℃高温反偏(HTRB)1000小时验证
针对汽车新能源动力总成芯片的长期热应力要求，联芯工艺实验室完成基于8英寸高压BCD平台的可靠性极限测试，击穿漂移量小于0.5%，达到车规前装供货要求。
工艺代号: LX-BCD-018HV · 归档完结
AEC-Q100 / IATF 16949 首页|J9国际集团中国官网网站量产级验证平台
高可靠性硅基首页|J9国际集团中国官网网站与特色制程量产体系
专注于8英寸与12英寸特色工艺首页|J9国际集团中国官网网站，覆盖高压BCD、功率分立器件与硅基传感器代工。依托全自动天车搬运与百级洁净室环境，我们将关键尺寸均一性严控在纳米公差之内，向高可靠汽车电子、新能源变流系统及工业自动化客户提供从多项目晶圆（MPW）到规模化量产的一站式制造支撑。
CHAMBER-A08 / 12-INCH WAFER FAB MONITOR
DEFECT RATE < 0.05 /cm²
薄膜厚度均匀性
< 1.35% (3σ)
深沟槽刻蚀纵横比
45:1 极限深宽比
晶圆背面减薄极限
40μm ± 1.5μm
综合平均良率
99.2%
Production Schedule
首页|J9国际集团中国官网网站流片批次与节点规划日历
透明化公布多项目晶圆（MPW）流片窗口与量产试制交期节点，便于芯片设计企业精准协调流片工程周期。
BATCH-2026-Q1
排产锁定
8英寸 BCD 0.18μm 工艺轮次
面向高压马达驱动与PMIC设计，支持700V高压浮动隔离工艺，标准流片周期42天。
Tape-out: 01月20日
晶圆交付: 03月15日
BATCH-2026-Q2
接收设计网表
12英寸 车规级沟槽MOSFET
超低导通电阻RDS(ON)工艺，严格落实车规AEC-Q101晶圆级测试标准，提供分立器件MPW。
Tape-out: 03月10日
晶圆交付: 04月28日
BATCH-2026-Q2-B
名额剩余 3 席
8英寸 MEMS 压力传感制造
包含双面深硅刻蚀（DRIE）与硅-玻璃阳极键合工艺，匹配高灵敏度工业变送器芯片需求。
Tape-out: 04月15日
晶圆交付: 06月05日
BATCH-2026-Q3
开放预定
12英寸 40nm 嵌入式闪存
工业级高耐久度eFlash制程，擦写循环大于10万次，适配微控制单元与加密安全芯片。
Tape-out: 06月20日
晶圆交付: 08月20日
Process Specialty
特色首页|J9国际集团中国官网网站核心制程平台与技术专题
结合多年硅基晶圆代工工程积淀，我们在功率器件、模拟混合信号及MEMS制造领域建立起差异化的技术壁垒，解决芯片设计公司在耐高压、大电流与微型化集成层面的物理瓶颈。
0.18μm ~ 90nm
高压与超高压 BCD 首页|J9国际集团中国官网网站
融合Bipolar双极、CMOS互补金属氧化物与DMOS双扩散MOSFET工艺。耐压范围从12V覆盖至700V，支持低导通电阻漂移区设计与深槽介质隔离（DTI），消除寄生自锁效应。
- • 隔离击穿电压: > 800V
- • 片上集成电阻/电容一致性: < 2.0%
- • 适用: 电池管理BMS、快速充电、电机驱动IC
SGT / Trench MOS
功率分立器件首页|J9国际集团中国官网网站与超薄加工
屏蔽栅SGT MOSFET与中高压IGBT首页|J9国际集团中国官网网站工艺，采用深微沟槽刻蚀与栅极氧化层平坦化技术。配合40微米级背面磨削抛光工艺，极大减小晶圆衬底串联寄生电阻。
- • 栅氧缺陷密度: < 0.02 ea/cm²
- • 减薄厚度偏差 (TTV): ≤ 2.0μm
- • 适用: 新能源汽车OBC逆变器、光伏储能逆变
MEMS / DRIE
微机电系统(MEMS)与晶圆级键合
配备博世深硅刻蚀（Bosch DRIE）系统与高真空阳极键合设备。支持压阻式、电容式微传感器腔体加工，侧壁平整度达纳米量级，可实现晶圆级真空密封封装前置。
- • 刻蚀垂直度控制: 90° ± 0.3°
- • 键合剪切强度: > 25 MPa
- • 适用: 工业压力传感器、MEMS麦克风、陀螺仪
Engineering Viewpoint
跨越流片鸿沟：首页|J9国际集团中国官网网站早期良率预测与微缺陷拦截
在晶圆代工领域，从试流片到量产交付的爬坡周期直接决定芯片产品的商业窗口期。微观粒子污染、薄膜应力变形以及栅氧层厚度漂移是导致晶圆电性击穿与功能失效的主因。
我们实施基于在线缺陷分类检测（ADC）与统计过程控制（SPC）的实时监控方案，在关键光刻与等离子刻蚀节点布置百余项在线量测基准，将隐性失效截获在单片晶圆加工周期内部。
“工程良率不仅是后道测试筛出来的结果，更是前道光刻机对准度、气相反应温度场与抛光液流动动力学严格约束的自然体现。”
— 联芯首页|J9国际集团中国官网网站工程技术总监
01. 关键尺寸（CD）与套刻误差的纳米级收敛
Overlay < 8nm利用先进对准传感器与自适应热变形校准模型，抑制多次曝光与不同设备间的光学畸变差异，确保12英寸多层金属互连层间无偏移对齐。
02. 化学机械抛光（CMP）整体平面度与过蚀阻断
TTV < 3nm多分区气压控制研磨头配合光谱终端终点检测技术，在介质层平坦化过程中精准识别阻挡层边界，消除微刮伤（Scratch）与碟形凹陷（Dishing）。
03. 气体纯化与微环境分子级污染（AMC）控制
Class 1 FOUP全流程晶圆传输均处于FOUP前开式晶圆传送盒与高纯氮气吹扫隔离保护中，杜绝酸性挥发气体与有机物附着于新刻蚀的裸硅界面。
Process Workflow
首页|J9国际集团中国官网网站全链条工程流转与工艺基准
从高纯度硅片表面洁净处理到多层金属连线成型，每道首页|J9国际集团中国官网网站工序都经过数百项参数锁定，确保大批量产中的晶圆一致性与高重复精度。
01
Substrate
衬底进厂与硅片前处理
高洁净度RCA湿法清洗去除表面有机与金属杂质。实施热氧化生长极薄初始氧化层，为后续离子注入阻挡与光刻打下无缺陷衬底。
粗糙度 Ra < 0.1nm · 颗粒物 < [email protected]μm
02
Lithography
光刻曝光与薄膜沉积
利用沉浸式与深紫外（DUV）光刻机完成几何图形精准转移。采用PECVD/ALD设备实现高介电常数栅介质与层间绝缘膜的原子级厚度沉积。
光刻对准残差 < 12nm · 膜厚均匀性 < 1.5%
03
Etch & Ion
等离子刻蚀与离子注入
采用感应耦合等离子体（ICP）进行高深宽比硅槽与介质层微细刻蚀。高能离子注入机完成阱区、源漏区杂质精准掺杂，结合快速热退火激活载流子。
刻蚀选择比 > 35:1 · 结深控制精度 < 5nm
04
CMP & CP Test
CMP抛光与晶圆中测(CP)
多层金属互连化研磨平坦化处理，沉积钝化保护层。成品晶圆送入全自动探针台进行100%全温区晶圆级电性测试与缺陷晶粒打标（Inkless）。
针痕偏移 < 3μm · 全温域测试: -40℃~150℃
OHT REALTIME ON-TRACK
Automated Fab Ecosystem
高洁净智能化首页|J9国际集团中国官网网站执行系统与闭环物料运送
现代化晶圆代工厂的核心效能取决于微粒受控度与工序衔接节拍。我们构建了全自动天车搬运系统（OHT）与制造执行系统（MES），实现从晶圆投片、腔体配方自适应下发、到工序间传送的“零接触”工业级自动化。
0.038 /cm²
在线微颗粒缺陷密度指标
< 120 秒
工序间OHT天车自动化调度延时
100% Trace
单片晶圆级激光二维码工序追溯
ISO Class 4
百级洁净室常态气流恒温恒湿
Engineering Briefs
了解具体工艺节点支持情况
首页|J9国际集团中国官网网站工艺动态与前沿制程工程通报
TECH-RELEASE
2026-Q1
引入全新多区化学机械抛光(CMP)设备，薄膜厚度极差缩小40%
为满足先进制程深亚微米光刻聚焦深度要求，12英寸产线全面投产多分区闭环压力抛光系统，晶圆全片厚度变异系数由2.1%进一步压缩至1.26%，大幅提升边缘管芯良率。
设备升级: CMP-GEN4-ZONE · 投入量产
TECH-RELEASE
2026-Q2-PREVIEW
微机电系统(MEMS)压阻应力传感器晶圆级真空封焊制程通过评审
创新采用共晶键合（Au-Sn）与微腔高真空脱气工艺，使压力敏感薄膜在全温区迟滞性降低至0.08%FS以下，已面向工业物联网重点客户开放小批量试流片接口。
工艺代号: LX-MEMS-PR01 · 试产阶段
Cleanroom Gallery
首页|J9国际集团中国官网网站生产实景与微观工艺质检巡礼
深入严苛受控的半导体前道制造环境，展示百级无尘室洁净度、先进制程机台及精密的晶圆表面分析手段。
01 / DUV LITHOGRAPHY BAY
黄光区高精度DUV光刻机矩阵
光刻对准容差严控在纳米区间，配备恒温±0.05℃送风保护罩。
02 / ETCHING CHAMBER INSPECTION
等离子深槽刻蚀微观轮廓扫描
采用扫描电镜（SEM）在线抽检，确保深硅侧壁无扇贝纹过度起伏。
03 / WAFER PROBING & SORTING
全自动中测探针台电学参数分选
进行漏电流、阈值电压等核心电性全量测试，生成精确晶圆晶粒分布图（Wafer Map）。
Quantifiable Metrics
首页|J9国际集团中国官网网站关键交付能力工程量化指标
用明确的公差范围、产能基数与合格率指标衡量工程代工交付品质，拒绝含糊其词的泛化描述。
45,000+
月度标准产能 (WSPM)
8英寸等效折算月度交付产能，支持车规级大宗批量订单。
99.2%
成熟平台平均良品率
高压BCD与分立器件工艺平台稳定良率基线，降低客户综合死晶成本。
< 0.05
缺陷密度 (Defects/cm²)
严格的无尘室AMC气体控制与自动在线清洗技术控制微观粒子缺陷。
±1.5%
薄膜厚度全片均一性 (3σ)
采用闭环气相回流与多区温度微调系统，保障极高栅介质可靠性。
Quality Assurance
代工模式与首页|J9国际集团中国官网网站可靠性对比
对比传统粗放式外协代工与联芯精细化首页|J9国际集团中国官网网站服务，直观展现从良率跟踪、工艺窗口定制到交期履约的确定性优势。
传统标准化外协代工
弹性不足 / 风险高- ✕ 固定工艺设计套件 (PDK)： 规则刻板固定，无法针对高耐压或特殊微结构进行底层器件模型参数微调。
- ✕ 批次爬坡漫长： 缺乏在线晶圆级缺陷诊断数据共享，出现参数漂移后排查周期耗时4~8周。
- ✕ 非车规质控： 采用消费类常规抽验标准，无法提供AEC-Q100所需的零缺陷（Zero Defect）全流程数据追踪。
- ✕ 流片门槛极高： 多品种小批量客户排期优先级低，交期常态化不可控。
联芯精细化特色首页|J9国际集团中国官网网站体系
深度协同 / 交付确定- ✓ 深度定制化制程窗口： 支持针对特定击穿电压（BVdss）与导通内阻的漂移区离子注入能量与剂量微定制。
- ✓ 工程协同快速迭代： 设立专门的器件良率工程师（Yield Engineer）一对一驻场跟单，试流片良率爬坡缩短50%。
- ✓ 车规级原生基因： 晶圆批次全面遵循IATF 16949质量管理，单片晶圆拥有唯一激光打标编码，实现20年全周期参数可溯。
- ✓ MPW机制弹性保障： 设立常态化多项目晶圆拼版流片窗口，保底中试排期，按期交片兑现率达98.7%。
Engineering FAQ
首页|J9国际集团中国官网网站代工技术与流片流程答疑
针对芯片设计客户在流片周期、衬底选择、减薄极限及保密协议方面的典型工程关切进行解答。
常规多项目晶圆（MPW）流片周期约为 42 至 55 个自然日，包含掩模版（Mask/Reticle）制作、前道光刻薄膜循环、离子注入退火及背面金属化。针对量产阶段已经固化工艺配方的标准批次，热批加速通道（Hot Run）可在 28 个自然日内完成前道首页|J9国际集团中国官网网站下线，中测（CP）测试依据测试矢量复杂程度通常追加 3 至 5 个工作日。
ENGINEERING CONSULTATION
开启高性能首页|J9国际集团中国官网网站量产对接
无论您是处于多项目晶圆（MPW）原型验证期，还是计划引入第二代工源提升汽车/工业芯片供应链韧性，联芯制造的器件物理工程师与工艺集成团队均可为您提供详尽的 PDK 工艺规范、DRC 设计规则与试流片排产评估。
签署规范商业保密协议 (NDA) 保护版图安全
24小时内安排工艺集成工程师（PIE）初步评估
提供器件级 SPICE 仿真模型及设计规则手册
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